亚克力镜面板的磁控溅射真空膜设备用的是磁控溅射靶材，那么磁控溅射镀靶材在镀膜溅射的时候会出生靶中毒现象，出现靶中毒现象，是大家都非常头疼的事情，既出了靶材，同时也耽误了生产时间，是非常让人头疼的事情。
一般情况下，金属化合物的二次电子发射率比金属的高，靶材中毒后，靶材表面都是金属化合物，在受到离子轰击之后，释放的二次电子数量增加，提高了空间的导通能力，降低了阻抗，导致斜坡射电压降低。从而降低了斜坡射电压。
（1）一般情况下磁控斜坡射流的溅射电压在400V-600V之间，当发生靶中毒时，溅射电压会显着降低。
（2）金属靶材与化合物靶材原本的溅射速度不太一样，一般情况下金属的溅射电压会显着降低。
（3）反应气体比例增加后，综合溅射效率本来就比代表气体的骤射效率低，所以反应气体比例增加，综合溅射效率低。
影响磁控溅射真空镀膜设备靶中毒的因素主要是反应气体和溅射气体的比例，气体反应过度就会导致靶中毒。溅射工艺进行过程中靶表面溅射沟道区域内出现被反应生成物覆盖或反应生成物被剥离而重新暴露金属表面此消彼长的过程。如果化合物的生成速率大于化合物被剥离的速率，化合物覆盖面积增加。在一定功率的情况下，参与如果反应气体量过度增加，化合物覆盖面积增加，如果不能及时调整反应气体流量，化合物覆盖面积增加的速率无法抑制，溅射沟道将进一步增加被化合物覆盖，当溅射靶被化合物全部覆盖的时候，完全靶中毒。
磁控溅射靶真空膜设备常见的靶中毒现象有：
（1）正离子栅极：靶中毒时，靶面形成绝缘体膜，正离子到达阴极靶面时由于绝缘层的阴极，不能直接进入阴极靶面，而是支架在靶表面，很容易产生冷场致弧光放电—打弧，使阴极溅射无法进行下去。
（2）阳极消失：靶中毒时，接地点的空腔壁上也沉积了绝缘膜，到达阳极的电子无法进入阳极，形成阳极消失现象。