蒸发真空镀膜机为啥要真空条件下镀膜

在常压下蒸镀膜料无法形成理想的薄膜，事实上，如在压力不够低 ( 或者说真空度不够高 ) 的情况下同样得不到好的结果，比如在10 2托数量级下蒸镀铝，得到的膜层不但不光亮，甚至发灰、发黑，而且机械强度极差，用松鼠毛刷轻轻一刷即可将铝层破坏，为啥蒸发真空镀膜设备蒸镀材料必须要在真空状态下，而且真空镀还要达到一定的标准，蒸发真空镀膜机要镀制膜层，必须要真空状态下才能进行镀膜，膜层才会牢固，才不会有污染物等，蒸镀必须在一定的真空条件下进行，这是因为： 1、较高的真空度可以保证汽化分子的平均自由程大于蒸发源到基底的距离。由于气体分子的热运动，分子之间的碰撞也是极其频繁的，所以尽管气体分子运动的速度相当的高 ( 可达每秒几百米 ) ，但是由于它在前进的过程中要与其它分子多次碰撞， 一个分子在两次连续碰撞之间所走的距离被称为它的自由程， 而大量分子自由程的统计平均值就被称为分子的平均自由程。 气体压强与单位体积的分子数成正比， 因此平均自由程与气体的压强亦成正比。在真空淀积薄膜过程中，当淀积距离大于分子的平均自由程时被称为低真空淀积， 而当淀积距离小于分子的平均自由程时被称为高真空淀积。在高真空淀积时，蒸发原子 ( 或分子 ) 与残余气体分子间的碰撞可以忽略不计，因此汽化原子是沿直线飞向基片的，这样保持较大动能到达基片的汽化原子即可以在基片上凝结成较牢固的膜层。在低真空淀积时，由于碰撞的结果会使汽化原子的速度和方向都发生变化，甚至可能在空间生成蒸汽原子集合体—其道理与水蒸汽在大气中生成雾相似。 2、在较高的真空度下可以减少残余气体的污染在真空度不太高的情况下， 真空室内含有众多的残余气体分子( 氧、氮、水及碳氢化合物等 ) ，它们能给薄膜的镀制带来极大的危害。它们与汽化的膜料分子碰撞使平均自由程变短；它们与正在成膜的表面碰撞并与之反应； 它们隐藏在已形成的薄膜中逐渐侵蚀薄膜；它们与蒸发源高温化合减少其使用寿命；它们在已蒸发的膜料表面上形成氧化层使蒸镀过程不能顺利进行。

真空镀膜机镀制工件前后区别?

对于PVD真空镀膜，不同的产品应该选择合适的电镀工艺，磁控溅射镀（主要金属产品），蒸发镀（主要塑胶产品），光学离子镀（主要璃玻产品），颜色同样有多种选择，PVD真空镀膜机给工件镀制膜层后，膜层具有耐磨、耐腐蚀、硬度高、干润滑性，美观、华丽,同时还具备环保等，真空镀膜机广泛应用在各个行业当中，其中不乏机械、电子、五金、航空航天、医疗、化工等领域，PVD真空镀膜机镀膜前后有什么区别，体现在哪里？ PVD镀膜前后有什么不一样的地方： 1.电镀的膜层越厚，保色时间越长。 2.电镀后因为质量以及使用寿命的延长，能为产品带来附加价值提升，有利于提高产品经济收益。 3.产品经过镀膜后，会在产品表面形成一种保护膜，可以有效抵抗腐蚀，更加耐磨，提升产品质量。 4.镀膜能够改变产品外观，可根据不同产品客户群体电镀不同颜色外观，满足消费需求，如五金真空镀膜18k金。

PVD真空镀膜机和CVD镀膜机区别?

薄膜沉积技术根据成膜机理的不同，主要分为物理、化学、外延三大工艺。物理气相沉积镀膜设备，简称PVD真空镀膜机。化学气相沉积镀膜机，简称为CVD镀膜机。 薄膜沉积技术是半导体、光伏等行业发展必不可少的关键工艺。薄膜沉积技术是指将在真空下用各种方法获得的气相原子或分子在基体材料表面沉积以获得离层被膜的技术。它既适合于制备超硬、耐蚀、耐热、抗氧化的机械薄膜，又适合于制备磁记录，信息存储、光敏、热敏、超导、光电转换等功能薄膜；此外，还可用于制备装饰性镀膜。近20年来，薄膜沉积技术得到了飞速发展，现已被广泛应用于机械、电子、装饰等领域。 PVD真空镀膜机沉积速度快、沉积温度低、物理手段对环境友好、更适应硬质合金精密复杂刀具的涂层。PVD是指在真空条件下利用高温蒸发或高能粒子等物理方法轰击靶材，使靶材表面原子“蒸发”并沉积在衬底表面，沉积速率高，一般适用于各类金属、非金属、化合物膜层的平面沉积。按照沉积时物理机制的差别，物理气相沉积一般分为真空蒸发镀膜技术、真空溅射镀膜、离子镀膜和分子束外延等。近年来，薄膜技术和薄膜材料的发展突飞猛进、成果显著，在原有基础上，相继出现了离子束增强沉积技术、电火花沉积技术、电子束物理气相沉积技术和多层喷射沉积技术等。 CVD镀膜设备种类繁多，当前PECVD为主流技术，未来市占率有望进一步提升。CVD是指利用气态或蒸汽态的物质在气相或气固界面上发生反应生成固态沉积物的过程，是近几十年发展起来的制备无机材料的新技术。化学气相淀积法已经广泛用于提纯物质、研制新晶体、淀积各种单晶、多晶或玻璃态无机薄膜材料。这些材料可以是氧化物、硫化物、氮化物、碳化物，也可以是III-V、II-IV、IV-VI族中的二元或多元的元素间化合物，而且它们的物理功能可以通过气相掺杂的淀积过程精确控制。CVD镀膜重复性和台阶覆盖性较好，可用于SiO2、Si3N4、PSG、BPSG、TEOS等介质薄膜，以及半导体、金属（W）、各类金属有机化合物薄膜沉积。CVD种类繁多，根据腔室压力、外部能量等不同，可大致分为 APCVD、LPCVD、SACVD、 PECVD、MOCVD等类别。CVD设备反应源容易获得、镀膜成分多样、设备相对简单、特别适用于在形状复杂的零件表面和内孔镀膜。

塑料镜面板的真空镀膜机设计应该注意什么,能减少捡漏工作

1、根据设备的工艺要求，确定真空镀膜机的总的最大允许漏率，并依据这一总漏率确定各组成部件的最大允许漏率。 2、根据设备的最大允许漏率等指标，在设计阶段就初步确定将要采用的检漏方法，并将其作为指导调试 验收的基本原则之一。 3、根据设备或部件的最大允许漏率指标，决定设备的密封、连接方式和总体加工精度，以及何种动密封形式能够满足要求。如，法兰采用金属密封或橡胶密封。 4、容器结构强度设计时，考虑如果采用加压法检漏被检件所应具有的耐压能力和结构强度。 5、选择零部件结构材料时，考虑是否使用了可能被工作介质和示漏气体腐蚀而导致损坏的材料。 6、结构设计时，在容器或系统上要留有必要的检漏仪器备用接口，以便在设备组装、调试过程中检漏使用。尤其是大型、复杂的管路系统，通常需要采用分段检漏方法，因此在管路上要设置分段隔离的阀门，并在每一隔离段上预留检漏仪器接口。 7、零件结构设计时，尽量避免采用可能干扰检漏工作的设计方案。例如在真空室內螺钉孔不能采用盲孔形式，因为安装螺钉后螺孔内部剩余空间的气体只能通过螺纹间隙逸出，形成虚漏。从而延长系统抽气时间，干扰检漏正常进行。如图真空检漏中不应出现的结构。 8、与此类似，结构设计中不允许存在连续双面焊缝和多层密封圈结构，因为这会在中间形成“寄生积”内的气体会形成虚漏；而当内、外双侧焊缝或密封圈同时泄漏时，“寄生容积”使示漏气体穿越双层焊缝的响应时间过长，无法正常检漏。 9、焊接结构设计时，尽量减少总装后无法检漏的焊缝。 真空镀膜机捡漏工作，是需要在设计、制造、调试、使用各个有关环节中随时进行，但是为了减少后期捡漏工作加重，必须要在源头设计环节，就应该重视捡漏工作，确保真空镀膜机后期环节捡漏环节的减少。